CES Asia 2025将展示半导体行业的“原子级制造、光电融合、量子突破”，揭示其如何从物理层面定义智能时代的可能性边界。


原子层沉积（ALD）技术的极限突破


某企业实现单原子层精度的ALD技术量产，薄膜均匀性达99.99%，可制造1nm以下栅极氧化层。在3nm制程中应用后，晶体管漏电电流降低50%，驱动电流提升20%，使芯片能效比突破“登纳德缩放”极限。该技术还用于量子芯片制造，使硅自旋量子比特的相干时间从1ms提升至10ms，为量子计算的实用化奠定基础。


硅光互联的产业化跨越


硅光芯片实现1.6Tbps单通道传输速率，功耗仅20fJ/bit，较电互联降低90%。在数据中心应用中，CPU与GPU之间的通信延迟从100ns缩短至10ns，算力利用率提升35%。某AI服务器采用硅光互联后，模型训练速度提高40%，年耗电量减少200万度。硅光技术还催生“光子神经网络”，在图像识别任务中，推理速度达电子神经网络的3倍，能耗降低80%。


宽禁带半导体的生态构建


碳化硅（SiC）功率器件形成完整产业链，8英寸晶圆良率达96%，成本降至硅基器件的1.8倍。在新能源汽车中应用，可使OBC（车载充电机）体积缩小50%，快充效率提升30%。氮化镓（GaN）射频器件在6G太赫兹通信中实现100GHz频段稳定工作，信号覆盖范围较5G提升5倍。宽禁带半导体的应用，使新能源汽车、6G通信等领域的能效水平提升一个数量级。


CES Asia 2025将证明，半导体行业的创新是“从原子到系统的全链条突破”——当材料科学家在埃米尺度操控物质，当制造工程师在晶圆上雕刻电路，当设计专家在架构层面定义需求，智能时代的底层逻辑正在被重新书写。                                                   负责人：王阳：13651258521（同微）免费热线：4008-939-833